MOS-FET CLASS-D MONO VERSTÄRKER, 195Wrms x 1 @ 4 Ohm (<0.1% THD / 14.4V), 205W x1 @ 4 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), 300Wrms x 1 @ 2 Ohm (<0.1% THD / 14.4V), 350W x 1@ 2 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), 500W x 1 @ 1 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), Class-DMOSFET Endstufenschaltung mit MOS-FET Stromversorgung, integriertes variablesTiefpassfilter: 30 - 250Hz mit 12dB/Okt., integriertes variables Subsonicfilter:10-50Hz mit 12dB/Okt., variable Eingangs-Empfindlichkeit: 0.2 - 6V,Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: >200, Signal-Rauschabstand: >85dB, 20mm2 Strom-Anschluss Terminals, externe Basspegel Fernbedienung, Dimensionen BxHxT: 360 x56 x 229 mm

4-KANAL MOS-FET VERSTÄRKER, 100Wrms x 4 @ 4 Ohm (<0.1% THD / 14.4V), 105W x 4 @4 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), 300W x 2 @ 4 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), 150W x 4 @ 2Ohm (<1.0% THD / 14.4V), BJT Endstufenschaltung mit MOS-FET Stromversorgung,integrierte Aktivweiche mit Hoch-, Tief- & Bandpass: 10/30 - 150Hz mit12dB/Okt., variable Eingangs-Empfindlichkeit: 0.2 - 6V, Dämpfungsfaktor an 4Ohm: >200, Signal-Rauschabstand: >85dB, 20mm2 Strom-Anschluss Terminals,Dimensionen BxHxT: 395 x 56 x 229 mm

5-KANAL MOS-FET VERSTÄRKER, 65Wrms x 4 + 180Wrms x 1 @ 4 Ohm (<0.1% THD /14.4V), 70W x 4 + 195W x 1 @ 4 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), 70Wrms x 4 + 290Wrms x 1@ 2 Ohm (<0.1% THD / 14.4V), 85W x 4 + 310W x 1 @ 2 Ohm (<1.0% THD / 14.4V), BJTEndstufenschaltung mit MOS-FET Stromversorgung, integrierte Hoch-, Tief- &Bandpassfilter: 30/50 - 150Hz mit 12dB/Okt., variable Eingangs-Empfindlichkeit:0.2 - 6V, Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: >200, Signal-Rauschabstand: >85dB, 20mm2Strom-Anschluss Terminals, externe Basspegel Fernbedienung, Dimensionen BxHxT:535 x 56 x 229 mm